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一方面，力电许多课题组已经使用abinitio密度泛函理论(DFT)来研究吸附的原子和分子与TMDs的相互作用。吸附的原子和分子在TMD中是一类有前景的杂质，改新因为它们倾向于仅仅微弱地扰动TMD衬底的原子结构，改新从而限制了可能由杂质散射或俘获导致的载流子迁移率的退化。
文献链接：博弈Tuningelectronicpropertiesoftransition-metaldichalcogenidesviadefectcharge,(ScientificReports,2018,DOI:10.1038/s41598-018-31941-1)本文由材料人计算组Z.Chen供稿，博弈材料牛整理编辑。新势对TMDs上带电吸附物性质的详细理论理解对于新器件的合理设计很重要。在实际条件下，力电缺陷对器件的性能起着至关重要的作用。
改新图4.振荡模式(a–h)杂质电荷Q=+0.3e的束缚杂质态的平方波函数。类似于传统的块体半导体，博弈具有浅施主或受主状态的杂质可以用于通过缺陷工程控制TMDs中的载流子浓度。
然而，新势abinitio计算在可以考虑的系统的尺寸方面受到限制(通常包含多达几百或几千个原子)，新势这些系统太小，无法描述浅缺陷状态的特性，这些浅缺陷状态可以延伸到100或更多，正如最近使用扫描隧道光谱(STS)观察到的石墨烯中的库仑杂质另一方面，连续电子结构方法，如石墨烯的Dirac理论或体半导体的有效质量理论，可以描述扩展杂质态的行为，但需要来自实验或abinitio计算的参数，如费米速度、有效质量，更重要的是，缺陷势通常被主体材料的电子屏蔽。
【图文导读】图1.屏蔽电势与未屏蔽的库仑电势(红色虚线)相比，力电强度Z=1(蓝色实线)的位于MoS2中Mo原子上方d = 2 Å的带电原子的RPA屏蔽电势。Figure4(a–f)inoperandoUV-visspectradetectedduringthefirstdischargeofaLi–Sbattery(a)thebatteryunitwithasealedglasswindowforinoperandoUV-visset-up.(b)Photographsofsixdifferentcatholytesolutions;(c)thecollecteddischargevoltageswereusedfortheinsituUV-vismode;(d)thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesofdifferentstoichiometriccompounds;thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesof(e)rGO/Sand(f)GSH/SelectrodesatC/3,respectively.理论计算分析随着能源材料的大力发展，改新计算材料科学如密度泛函理论计算，改新分子动力学模拟等领域的计算运用也得到了大幅度的提升，如今已经成为原子尺度上材料计算模拟的重要基础和核心技术，为新材料的研发提供扎实的理论分析基础。
原位XRD技术是当前储能领域研究中重要的分析手段，博弈它不仅可排除外界因素对电极材料产生的影响，博弈提高数据的真实性和可靠性，还可对电极材料的电化学过程进行实时监测，在电化学反应的实时过程中针对其结构和组分发生的变化进行表征，从而可以有更明确的对体系的整体反应进行分析和处理，并揭示其本征反应机制。此外，新势结合各种研究手段，与多学科领域相结合、相互佐证给出完美的实验证据来证明自己的观点更显得尤为重要。
目前材料的形貌表征已经是绝大多数材料科学研究的必备支撑数据，力电一个新颖且引人入胜的形貌电镜图也是发表高水平论文的不二法门。因此，改新原位XRD表征技术的引入，可提升我们对电极材料储能机制的理解，并将快速推动高性能储能器件的发展。